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BBO
      BBO晶體（β相偏硼酸鋇晶體，β-BaB2O4）可透過波段范圍寬（190—3500nm），具有高損傷域值，光學均勻性好，在飛秒激光方面有著廣泛的應用。
  • 詳情介紹
  • 標準產品
  • 基本性質

  • 山東辰晶光電的BBO晶體優勢：

        ● 可實現相位匹配的波段范圍寬（409.6-3500nm）；
        ● 可透過波段范圍寬（190-3500nm）；
        ● 倍頻轉換效率高(相當于KDP晶體的6倍）；
        ● 光學均勻性好（δn≈10-6/cm）；
        ● 高損傷閾值（100ps脈寬的1064nm10GW/cm2）；
        ●     溫度接收角寬（55℃左右）。


    BBO晶體的主要應用：
        ● Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻；
        ● 染料激光的倍頻，三倍頻和混頻；
        ● Ti:Sapphire和Alexandrite激光的二、三、四倍頻；
        ● 光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO)；
        ● 氬離子,紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻；
        ● 在全固    態可調激光,超快脈沖激光,深紫外激光等高、精、尖激光技術領域的研發領域 ;

        ● 高頻電光調Q晶體


  • 尺寸公差

    (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm) 
    (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.1/-0.1mm) (L<2.5mm)

    角度公差 

    Δθ≤0.25°  Δφ≤0.25°

    通過口徑

    90% of central area

    倒邊

    ≤ 0.2mm@45°

    倒角

    ≤ 0.1mm

    抗損閾值
    [GW/cm2 ]

    > 1 TEM00,10ns,10HZ(uncoated)
    > 0.5 for 1064nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated)
    > 0.3 for 532nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated) 

    平面度

    < λ/8@633nm

    平行度

    < 20"

    垂直度

    ≤ 5' 

    光潔度[S/D]

    < 10/5

    波前畸變

    < λ/8@633nm

    內部質量

    50mW綠光檢測無可見散射路徑



  • 透過波段

    190nm-3500nm

    可實現相位匹配的波段范圍寬

    409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

    熱光系數

    dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

    吸收系數

    <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

    接受角

    0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
    1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

    溫度接收角寬

    55 ℃·cm-1

    光譜接收

    1.1 nm·cm-1

    走離角

    2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

    非線性系數

    deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
    deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

    非線性磁化系數

    d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

    Sellmeier方程 (λ in μm )

    no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
    ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

    電光系數

    r22=2.7 pm/V

    半波電壓

    7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

    電阻率

    >1011 Ω·cm

    相對介電常數

    εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001

    透過波段

    190nm-3500nm

    可實現相位匹配的波段范圍寬

    409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

    熱光系數

    dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

    吸收系數

    <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

    接受角

    0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
    1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

    溫度接收角寬

    55 ℃·cm-1

    光譜接收

    1.1 nm·cm-1

    走離角

    2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

    非線性系數

    deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
    deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

    非線性磁化系數

    d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

    Sellmeier方程 (λ in μm )

    no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
    ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

    電光系數

    r22=2.7 pm/V

    半波電壓

    7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

    電阻率

    >1011 Ω·cm

    相對介電常數

    εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001