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產品圖片
DKDP開關
       磷酸二氘鉀DKDP（KD*P）晶體光學損耗低，消光比高，電光性能好，通常利用DKDP晶體的縱向效應制成電光調Q開關，主要適用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。（包括：美容，?醫療，科研，軍事和航天等激光領域。）
  • 詳情介紹
  • 標準產品
  • 基本性質

  • 山東辰晶光電致力于高質量電光調Q開關的研發與生產，可根據客戶不同需求定制開關，如高低溫環境下應用的溫控調Q開關等。


    山東辰晶光電DKDP系列開關的產品特點：


        ● 高含氘量：＞98%

        ● 高消光比 ：5000:1

        ● 低電容 ：3-5pF

        ● 高透過率：＞99%

        ● 高損傷閾值：500MW/cm2

        ● 設計緊湊，便于調節

        ● 良好的密封，延長開關的工作壽命


  • 山東辰晶光電科技有限公司電光開關基礎型號:


    型號

    外殼尺寸公差

    (0~-0.1)×(±0.3mm)

    通光孔徑

    T%

    消光比

    1/4波電壓

    波前畸變

    電容

    QI-8Ga

    Ф19×24

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gb

    Ф19×24.7

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gc

    Ф19×27.2

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8GPa

    Ф20×29

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QT-8GPa

    Ф28×30

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QL-10DPa

    Ф32×40

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-10DPb

    Ф25×37

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Ga

    Ф25.4×32

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gb

    Ф21×28.2

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gc

    Ф25.4×33

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10GPa

    Ф25.4×39

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-11Da

    Ф32×35

    11

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-12GPa

    Ф28×33

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜6.5pF

    QT-12GPa

    Ф32.5×50

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    抗損閾值：》500MW/cm2，10ns，10Hz @1064nm   

  • 暫無